Diseño Optimizado de Circuitos Pasivos de Alta Frecuencia basados en Nuevos Materiales mediante Mapeo Espacial y Redes Neuronales

Título del proyecto: Diseño Optimizado de Circuitos Pasivos de Alta Frecuencia basados en Nuevos Materiales mediante Mapeo Espacial y Redes Neuronales (Acrónimo: NUMACIPAN)
Entidad financiadora: Generalitat Valenciana (Ayudas para Acciones Dinamizadoras de I+D+I, Modalidad A: Cooperación Internacional)
Ref. IIACDI/2004/176
Entidades participantes: Departamento de Comunicaciones (Universidad Politécnica de Valencia)
Duración: 01/01/2004 – 31/12/2004
Investigador responsable: Dr. Vicente E. Boria Esbert
Número de investigadores participantes: 6

Breve Descripción del Proyecto: En este proyecto se pretende diseñar, de forma optimizada (con mapeo espacial y redes neuronales), diversos componentes pasivos basados en nuevos materiales (metamateriales y materiales periódicos o EBGs) y empleando tecnologías clásicas (guías de onda y líneas planares) así como la recién desarrollada tecnología micro-electro-mecánica (MEMS). Para diseñar estos nuevos componentes se hará uso de los simuladores comerciales disponibles, o del solicitado en esta propuesta, así como de nuevas herramientas desarrolladas en cooperación por los grupos solicitantes de ambas Universidades en España y Méjico. El grupo español aportará su experiencia en el área de la simulación y diseño de componentes pasivos basados en nuevos materiales (metamateriales y EBGs) y modernas tecnologías, mientras que la Universidad mejicana aplicará sus conocimientos en técnicas de diseño automatizado basadas en mapeo espacial y redes neuronales. Se fabricarán prototipos y demostradores de los nuevos componentes diseñados, cuya validación experimental se llevará a cabo en el laboratorio de medidas disponible en el grupo español. En este sentido, y con la supervisión y el apoyo de la Agencia Europea del Espacio (ESA), se pretende completar uno de estos laboratorios para verificar nuevos efectos no lineales (multipactor, corona e intermodulación) que surgen en estos dispositivos empleados en las nuevas aplicaciones de alta potencia.